IRFH5210TRPBF
Aplikace
1. Synchronní usměrnění na sekundární straně
2. Měniče pro stejnosměrné motory
3. Aplikace cihel DC-DC
4. Boost konvertory
Funkce
1. Nízký RDSon (≤ 14,9 mΩ při Vgs = 10 V)
2. Nízká tepelná odolnost vůči PCB (≤ 1,2 °C/W)
Testováno na 3,100 % Rg
4. Nízký profil (≤ 0,9 mm)
5.Industry-Standard Pinout
6. Kompatibilní se stávajícími technikami povrchové montáže
7. V souladu s RoHS Neobsahuje žádné olovo, žádný bromid a žádný halogen
8.MSL1, Průmyslová kvalifikace
Výhody
1. Nižší ztráty vedení
2.Umožňuje lepší odvod tepla
3. Zvýšená spolehlivost
4. Zvýšená hustota výkonu
5. Kompatibilita s více dodavateli
6. Jednodušší výroba
7. Šetrnější k životnímu prostředí
8. Zvýšená spolehlivost
Číslo dílu výrobce:IRFH9310TRPBF
Výrobce / značka International Rectifier (Infineon Technologies)
Část popisu: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stav bez olova / stav RoHS: Bez olova / V souladu s RoHS
Stav skladu: Nový originál, 12 000 ks skladem.
Loď z: Hong Kong
Způsob přepravy: DHL/Fedex/TNT/UPS
Hodnota atributu produktu Vyberte atribut
Číslo dílu IRFH9310TRPBF
Výrobce / značka International Rectifier (Infineon Technologies)
Skladové množství 12000 ks Sklad
Kategorie Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory – FET, MOSFET – jednoduché
Popis MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stav bez olova / stav RoHS: Bez olova / V souladu s RoHS
Šířka - Vnitřní -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí/proud – výstup 1 PQFN (5x6)
Tolerance 5250pF @ 15V
Typ ocasu P-kanál
Krokový úhel MOSFET (oxid kovu)
Shrink Temperature Infineon Technologies
Typ SFP/XFP ±20V
Vzdálená schopnost HEXFET®
Pitch - kabelová povrchová montáž
Další názvy Bezolovnatý / V souladu s RoHS
Další jména 1
Oscilátor typu 8-PowerVDFN
Počet DAC 30V
Minimální specifická hmotnost kapaliny -
Orientace párování 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Číslo dílu výrobce IRFH9310TRPBFDKR-ND
Délka - Barrel Digi-Reel®
Barva lampy 4,5V, 10V
Vysoké boční napětí - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funkce 58nC @ 4,5V
Napájení cívky aktivní
Kapacita kanálu (CS (vypnuto), CD (vypnuto)) 3,1 W (Ta)
Typ čtečky karet 2,4V @ 100µA
Vlastnosti a výhody
Vlastnosti Výsledné výhody
Nízké RDSon (≤ 4,6 mΩ) Nižší ztráty vedení
Odvětvový standard PQFN Package Multi-Vendor Compatibility
V souladu se směrnicí RoHS Neobsahuje olovo, bromid ani halogen Šetrnější k životnímu prostředí
výsledky v
Poznámka
Množství formuláře
Páska a cívka IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm 4000
Objednatelné číslo dílu Typ balení Standardní Bal
VDS -30 V
RDS(zapnuto) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (typická) 110 nC
RG (typický) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25 °C) -21 A
Absolutní maximální hodnocení
Jednotky parametrů
VDS napětí mezi odtokem ke zdroji
VGS Gate-to-Source napětí
ID @ TA = 25 °C trvalý vypouštěcí proud, VGS @ -10 V
ID @ TA = 70 °C Trvalý odtokový proud, VGS @ -10 V
ID @ TC = 25 °C trvalý odtokový proud, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70 °C Trvalý odtokový proud, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25 °C trvalý vypouštěcí proud, VGS @ -10 V (omezený počet balíčků)
Pulzní vypouštěcí proud IDM
PD @TA = 25 °C ztrátový výkon
PD @ TA = 70 °C ztrátový výkon
Lineární faktor snížení W/°C
TJ Provozní uzel a
Rozsah skladovací teploty TSTG
Opakované hodnocení;šířka pulzu omezena max.teplota přechodu.
Počáteční TJ = 25 °C, L = 1,1 mH, RG = 50 Ω, IAS = -17 A.
Šířka impulsu ≤ 400 µs;pracovní cyklus ≤ 2 %.
Při montáži na 1 palcovou čtvercovou měděnou desku.
R9 se měří při TJ přibližně 90 °C.
POUZE PRO NÁVRHOVOU POMOC, nepodléhá výrobnímu testování.
